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GaAs射頻研發-稅前30萬-上海某初創半導體公司
案例介紹
職位名稱：GaAs射頻研發(30萬)
工作地點：上海
案例日期：2024年12月03日
所在行業：地產/建筑
職位周期：52天
上崗人數：1人
顧問團隊：Monica,Demi
職位名稱：GaAs射頻研發
職位年薪：30萬
企業名稱：上海某初創半導體公司
工作地點：上海
案例日期：2024年12月03日
所在行業：地產/建筑
職位周期：52天
上崗人數：1人
顧問團隊：Monica,Demi
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